低功耗高增益CMOS LNA的设计

摘要：

设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA).所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50 Ω的输入阻抗匹配.文中设计的放大器采用TSMC0.18 μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试.结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18 μm,当中心频率fo为2.4 GHz、电源电压VDD为1.8 V时其功率增益S21为16.5 dB,但功耗Pd只有2.9 mW,噪声系数NF为2.4 dB,反向隔离度S12为-58 dB.由此验证了所设计的CMOS RF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100 nm级的研发方向发展.

关键词：低噪声放大器、CMOS射频电路、低功耗、高增益

所属期刊栏目：33

分类号：TN722.7(基本电子电路)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2006AA10Z258

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：726-729