ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究

摘要：

主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平.

关键词：静电放电、电磁脉冲、辐射损伤

所属期刊栏目：33

分类号：TN306(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50237040

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：705-710