0.15 μm低压CMOS工艺技术改进

摘要：

0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程.该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用.但是这种特殊制程的工艺稳定性和兼容性相对较差,最突出的问题就是前段的漏电流较大;同时该制程对晶圆边缘区域与中央区域的线宽一致性提出了更高的要求.介绍了一种通过改进窄沟道氧化物隔离层的制造工艺方法,来降低漏电流,并通过调整晶圆的曝光方式来提高晶圆边缘区域的良率.

关键词：0.15μm低压、漏电流、窄沟道隔离层、良率提升

所属期刊栏目：33

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：698-700