期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.014

TiN薄膜表面形貌的分形表征及其演化特征

引用
用反应磁控溅射方法在Si基片上沉积TiN膜,用原子力显微镜(ARM)观察薄膜表面形貌.比较研究了尺码法、盒计数法、功率谱密度法与高度-高度相关函数法计算的表面形貌分形维数Df结果,并研究了TiN膜表面形貌的演化特征.结果表明,功率谱密度法与高度-高度相关函数法计算的Df值与AFM观测尺度不相关,具有较好的稳定性,随着膜厚h增加,薄膜分形维数Df先减小再增加,这是由生长初期基片表面影响与生长后期的晶粒长大所导致的.

氮化钛膜、表面形貌、分形、反应溅射

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TN104.2;TB43(真空电子技术)

2008-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

694-697

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2008,33(8)

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