期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.012

退火温度对CoTiO2微结构和磁特性的影响

引用
为了研究在稀释磁性半导体CoTiO2薄膜中不同退火温度对薄膜结构和磁性的影响,通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了CoTiO2薄膜样品.然后利用扫描探针显微镜以及振动样品磁强计对所制得的薄膜样品磁性和微结构的变化进行了研究.研究发现,热处理温度对薄膜的微结构和磁性能有很大的影响.扫描探针显微镜对样品的微结构分析结果表明,在400 ℃时磁性相的分布比较均匀,Co掺杂到TiO2结构当中且没有Co颗粒或团簇;振动样品磁强计测量样品的磁性能结果显示该样品具有明显的室温铁磁性.

稀磁半导体、磁性、CoTiO2薄膜

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O482.5(固体物理学)

国家自然科学基金;河北省科技厅项目

2008-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

688-690

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

33

2008,33(8)

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