Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响

摘要：

采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制.综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响.从理论上推算了SiGe HBT的β和fT等主要特性参数,Ge的引入以及Ge的分布情况对提高这些参数有着显著的影响.Ge的引入对晶体管主要特性参数的提高使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域可以有更重要的应用前景.

关键词：SiGe质结晶体管、Ge组分、超高真空/化学气相沉积

所属期刊栏目：33

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：683-687