尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

摘要：

介绍了沟槽MOSFET(TMOS)的器件特性.为获得更小的尺Rdson(导通电阻)·A(面积)值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4 μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大.提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺,利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险,最终通过试验验证,得到了高稳定性低导通电阻的低压TMOS.

关键词：沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、突起式多晶硅、器件穿通、沟槽式接触、多晶硅去除量

所属期刊栏目：33

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：680-682