X波段GaN HEMT的研制

摘要：

采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250 V/10μA.通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50 V/1 mA,栅源击穿电压大于40 V/1 mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20 W,功率增益7 dB,功率密度8 W/mm.

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管、肖特基势垒、击穿电压、输出功率

所属期刊栏目：33

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）51327030201

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：677-679