Cu-CMP后的坑状缺陷分析与解决方案

摘要：

随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的重要技术.分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生机理,使用应用材料公司生产的Mirra Mesa Intergrated CMP System工艺设备,利用该设备上的研磨头喷头和芯片吸附装置上的平台冲洗部件,对采用双大马士革Cu工艺的图形化200mm实验芯片在Cu-CMP后设计了不同条件下高压力的去离子水冲洗芯片固定环的实验,给出一种优化了的研磨头清洗方案,从而减少了Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生.

关键词：Cu化学机械研磨、坑状缺陷、研磨头、研磨盘

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：674-676