期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.006

抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响

引用
影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等.主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料+碱+活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究.结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率.

铌酸锂、去除速率、抛光液

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TN305.2(半导体技术)

国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金;河北省重点学科冀教高

2008-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

666-669

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2008,33(8)

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