ULSI多层Cu布线CMP中磨料的研究

摘要：

超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素.分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料.并进一步通过对多层Cu布线CMP硅溶胶磨料的优化研究,指出采用小粒径、低粒径分散度、高质量分数的SiO2水溶胶磨料,可有效地解决平整度差、塌边、碟形坑、表面粗糙度差等问题,获得了良好的抛光效果.

关键词：化学机械抛光、磨料、速率、表面状态

所属期刊栏目：33

分类号：TN405.97;TN305.2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金;河北省重点学科冀教高资助项目

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：662-665