GaAs基AIGaInP LED的研究和进展

摘要：

探讨了GaAs基AIGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计.着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一些提高外量子效率的AlGaInP LED器件结构,最后探讨了AlGaInP LED在作为固体光源发展过程中仍然需要面对的挑战.

关键词：AlGaInP、发光二极管、外量子效率

所属期刊栏目：33

分类号：TN364.2(半导体技术)

资助基金：天津市科技创新专项06FZZDCX01800

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：654-657,669