基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展

摘要：

部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势.

关键词：热光伏、Ⅲ-Ⅴ族半导体、窄带

所属期刊栏目：33

分类号：TM914.42;TN304.23

资助基金：国家自然科学基金60306001

在线出版日期：2008-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：649-653