两种低压高速BiCMOS开关电流存储器

摘要：

为了提高数字通信电路的速度,设计了两种BiCMOS开关电流存储器.设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),但在电路的主体部分则设置MOS器件.推导出了存储电路的传输延迟时间估算式,优选了元器件参数,并采取了提速措施.进行了仿真试验和硬件电路实验.结果表明,所设计的两种开关电流存储器在低电源电压(VDD)为2.6～4.0V时,综合性能指标--时延-功耗积DP比CMOS存储电路AD585平均降低了约18.8pJ,特别适用于低压高速数字通信系统.

关键词：BiCMOS器件、开关电流存储电路、低压、高速度

所属期刊栏目：33

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;江苏大学高级人才启动基金

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：613-616