0.13μm DSP芯片静态电流测试失效分析研究

摘要：

静态电流(IDDQ)测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术,针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升.

关键词：静态电流失效、激光束诱导电阻值变化、电压对比、离子注入、成品率

所属期刊栏目：33

分类号：TN360(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：578-580