用1/f噪声表征VDMOS器件的抗辐照性能

摘要：

介绍了用于航空航天DC/DC转换器中的VDMOS器件和电离辐照前后低频1/f噪声的变化.研究了电离辐照情况下VDMOS器件的阈值电压漂移、跨导的退化对1/f噪声幅值、γ值的影响.结合实验,比较器件1/f噪声幅值和γ值在辐照前后的变化,对其抗辐照性能做表征研究.对VDMOS器件在辐照前后的变化做了分析,从γ值分形的角度简要说明辐照对器件产生的影响.

关键词：纵向双扩散金属氧化物半导体、辐照、1/f噪声、γ值

所属期刊栏目：33

分类号：TP211.51(自动化技术及设备)

资助基金：国防预研项目

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：571-574