高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究

摘要：

研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果.对于确定的设计规则.还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性.

关键词：闩锁效应、多子保护环、高阻衬底

所属期刊栏目：33

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：上海市引进技术的吸收与创新年度计划;上海市科委国际合作项目

在线出版日期：2008-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：517-519