0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器

摘要：

利用负反馈放大器设计原理,采用GaAs PHEMT工艺技术,设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片,并给出了详细测试曲线.该放大器由两级组成,采用负反馈结构,工作频率0.8～8.5 GHz,整个带内功率增益19 dB,噪声系数1.55 dB,增益平坦度小于±0.7 dB,输入驻波比1.6,输出驻波比1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片内部集成偏置电路,单电源+5 V供电,芯片具有良好的温度特性.该芯片面积为2.5 mm × 1.2 mm.

关键词：宽频带、低噪声放大器、负反馈、微波单片集成电路

所属期刊栏目：33

分类号：TN722(基本电子电路)

资助基金：国防预研项目51408010205DZ2306

在线出版日期：2008-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：514-516,519