期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2008.06.008

无酸水热法制备多孔硅及其PⅢ表面改性

引用
采用无酸水热法,制备了多孔硅材料.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观察了样品表面形貌,比较了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构,发现随着刻蚀剂浓度的增加,平均孔径尺寸变大,且孔径分布趋于离散.使用等离子浸没注入技术,对多孔硅样品进行了表面注氮处理.室温荧光光谱研究发现处理后的样品的光谱峰位产生了蓝移,根据X光电子能谱仪检测的结果发现样品表面形成了Si-NxOy相,这一物相的出现导致了光谱的蓝移.

无酸水热法、多孔硅、等离子体浸没注入技术、光致发光

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TN305.3(半导体技术)

上海市重点学科建设项目B113

2008-07-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

488-491,494

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

33

2008,33(6)

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