高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

摘要：

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在f0为3.1～3.4 GHz、Vcc=32 V、Pw=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性.

关键词：硅、等平面自对准工艺、微波脉冲功率晶体管

所属期刊栏目：33

分类号：TN325.2(半导体技术)

在线出版日期：2008-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：477-479