基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计

摘要：

基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好.

关键词：硅锗异质结双极型晶体管、低噪声放大器、IEEE802.11a

所属期刊栏目：33

分类号：TN722.25(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金;北京市教委科技发展计划;中青年骨干教师培养计划;北京市优秀跨世纪人才基金;北京工业大学青年科研基金;北京市自然科学基金

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：425-427,445