BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用

摘要：

利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计.将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化.结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想.

关键词：高压横向扩散金属氧化物半导体、优化、反向传播神经网络

所属期刊栏目：33

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：上海市引进技术的吸收与创新年度计划;上海市科委国际合作项目

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：381-383,408