CMP后清洗技术的研究进展

摘要：

化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低.介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素.综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望.

关键词：化学机械抛光、原子级精度表面、清洗技术

所属期刊栏目：33

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市教委重点学科建设项目第五期

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：369-373