一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

摘要：

介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120 ℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB.该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路.

关键词：带隙、电压源、温度系数、电源抑制比、互补金属氧化物半导体

所属期刊栏目：32

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家高技术研究发展计划（863计划）;中国科学院项目（非规范项目）;上海市科委项目

在线出版日期：2007-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：792-795