二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用

摘要：

当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术.相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中.在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用.

关键词：二氧化铈、研磨液、浅沟道隔离、直接浅沟道隔离、化学机械平坦化

所属期刊栏目：32

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：657-660