4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析

摘要：

用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响.

关键词：X射线双晶衍射、摇摆曲线、4H-SiC、双层原子结构

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.24(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金;国家重点基础研究发展计划（973计划）

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：581-584