准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理

摘要：

表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究.采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该样品进行了高频和准静态C-V测试;在给出表面态分析计算的原理基础上,用C语言编写数值积分程序对所采集数据进行了数据处理分析,计算得到了表面态密度分布情况,给出了分布曲线.结果表明,该样品p-Si材料的禁带中表面态存在比较广的连续分布,在靠近价带一侧呈现两个峰值.

关键词：C-V测试、表面态分布、数据处理、数值积分

所属期刊栏目：32

分类号：TM23;TN304(电工材料)

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：577-580