基于CCD测量技术的不完整圆直径测量算法研究

摘要：

针对单晶硅生长过程中的直径测量,提出了一种基于CCD摄像头的不完整圆直径测量算法.首先利用CCD摄像头透过隔热设施俯拍单晶,获取到部分单晶生长图像;然后根据获取的该部分生长图像的特点,采用图像处理技术提取单晶体的边缘信息,并应用亚像素边缘检测技术精确获取单晶体的边缘位置;最后通过不完整圆算法把部分边缘图像还原成完整圆,从而实时获得硅单晶的直径值.该算法获得的硅单晶直径具有精度高、抗干扰性强的特点,有利于实现整个拉晶过程的全自动控制.

关键词：单晶炉、直径测量、图像处理、电荷耦合器件

所属期刊栏目：32

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：574-576,613