辐射对GaAs霍尔器件电磁参数的影响

摘要：

为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化.结果表明,无磁场作用时,γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加,而且与辐照时间近似成正比;有确定磁场作用时,输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化,但与辐照时间没有确定关系,而且变化量较小.所有变化均不因辐照停止而消失,反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性.上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损伤理论,而且对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值.

关键词：γ和β射线、GaAs霍尔器件、输入端电阻、霍尔输出电压

所属期刊栏目：32

分类号：TN382;O472.5;TL71(半导体技术)

资助基金：教育部高校骨干教师资助计划K001804A

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：570-573