NBTI效应的退化表征

摘要：

对超深亚微米PMOSFET器件NBTI效应的失效机理和退化表征进行了讨论.反应-扩散模型是最为广泛接受的NBTI退化机理模型,它有效地解释了阈值电压漂移随时间逐渐饱和以及应力去除后NBTI效应部分恢复的退火现象.用阈值电压漂移量表征了NBTI效应的退化,深入讨论了影响NBTI效应的主要因素:应力作用时间、栅氧电场和温度应力,总结了阈值电压漂移与这些因素的关系,给出了一个经验-逻辑推理公式,对公式中的参数提取后可以得到NBTI寿命值,从而实现NBTI效应的可靠性评价.

关键词：负偏压温度不稳定性、阈值电压、应力作用时间、栅氧电场、温度应力

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.07(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金9140C03010107BZ05

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：562-564,597