先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价

摘要：

可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题.随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控.本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点.

关键词：CMOS工艺、栅极氧化膜、硅片级、可靠性

所属期刊栏目：32

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：539-543