蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究

摘要：

通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料.室温下2DEG载流子面密度为1.21×10013/cm2,迁移率为1970 cm2/V·s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V·s.

关键词：金属有机化学气相外延淀积、氮化镓、铝镓氮/氮化镓、异质结、二维电子气

所属期刊栏目：32

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家部委科研项目

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：497-500