期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2007.06.009

氧分压对ZnO薄膜结构与光学性能的影响

引用
采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备了ZnO薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对样品进行检测.实验表明,氧分压对ZnO薄膜的结构与光学性能影响很大.在样品的光致发光谱中,均只发现了520 nm附近的绿色发光峰,该峰随着氧分压的增大而增强.不同氧分压制备的ZnO薄膜中,氧分压为0.25Pa的样品结晶性能最好,透过率最高.

直流磁控溅射、ZnO薄膜、氧分压

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O484.4;O484.5(固体物理学)

国家自然科学基金60571043

2007-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

494-496,504

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

32

2007,32(6)

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