CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计

摘要：

分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls.应用这种改进型输入匹配结构,基于0.18μm BSIM3模型设计了工作频带为5.1～5.8 GHz的宽带CMOS低噪声放大器.结果表明,虽然输入匹配由于移除源极负反馈电感Ls受到一定影响,但是有利于降低噪声系数并减小实际制作的芯片面积.

关键词：低噪声放大器、输入阻抗匹配、互补金属氧化物半导体

所属期刊栏目：32

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60371017

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：486-489