硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备

摘要：

探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响.结果表明,降低沉积速率有利于在蛋白石结构内外均匀填充,同时在自由基扩散通道不被堵塞的前提下,增加沉积时间及蛋白石结构的规整程度,有助于反opal结构的形成.

关键词：三维光子晶体、反蛋白石结构、Si凹槽、直角波导

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家部委科研项目

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：481-485