GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用

摘要：

介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的Ⅰ-Ⅴ特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型.建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用.

关键词：GaN高电子迁移率晶体管、Ⅰ-Ⅴ特性、非线性器件模型

所属期刊栏目：32

分类号：TN383;TN402(半导体技术)

资助基金：国家部委科研项目

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：313-315