SiO2/SiC界面陷阱电荷近似计算的局限

摘要：

从理论上分析了近似计算所引起的SiC基MOSFET两个重要参数阈值电压和沟道电流的误差.结果显示,在很多情况下近似计算都会带来很大的误差(＞5%),尤其对于沟道电流,在大部分情况下误差很大,只是在少数条件下误差较小(＜5%).因此,近似计算SiO2/SiC界面陷阱电荷不尽合理,应利用电子在界面态上的分布函数进行准确计算.

关键词：碳化硅、界面陷阱电荷、近似计算、阈值电压

所属期刊栏目：32

分类号：TN304;TN386(半导体技术)

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：308-312