GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现

摘要：

通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26 dBc/Hz.

关键词：砷化镓金属半导体场效应晶体管、振荡器、相位噪声

所属期刊栏目：32

分类号：TN753.9(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金;教育部新世纪优秀人才支持计划

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：304-307