高阻真空区熔硅单晶的生长

摘要：

介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103 Ω·cm及(1～2)×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω·cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂.单晶直径30～35 mm,晶向〈111〉.经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上.

关键词：硅单晶、真空区熔、高电阻率、区熔掺杂

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.053(半导体技术)

资助基金：国家部委科研项目

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：301-303,312