VB-GaAs单晶生长技术

摘要：

半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管.对于激光二极管而言,特别需要低位错材料.简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术.本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长,拉制的50 mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500 cm-2,最大为1000 cm-2.

关键词：垂直布里奇曼法、砷化镓、单晶、位错密度

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.053(半导体技术)

资助基金：国家部委科研项目

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：293-296