LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制

摘要：

在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能.在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制.

关键词：砷化镓、碳、硼、杂质

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：288-292