Trench MOSFET的研究与进展

摘要：

研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势.介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了TrenchMOSFET与VDMOS相比的电学性能特点.最后对其发展现状,关键技术和结构参数及其发展趋势进行了概括、总结和展望.

关键词：Trench金属氧化物场效应晶体管、比导通电阻、击穿电压、元胞面积、箱型掺杂

所属期刊栏目：32

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：277-280,292