2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计

摘要：

在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一.首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性.

关键词：互补金属氧化物半导体、功率放大器、射频、集成电路

所属期刊栏目：32

分类号：TN7(基本电子电路)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）51312

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-64,81