期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.012

不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究

引用
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大.200 ℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀.同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符.

钝化层、光学相移法、应力

32

TN3(半导体技术)

电子元器件可靠性物理及应用技术国防科技重点实验室资助项目;教学改革项目

2007-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

32

2007,32(1)

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