ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究

摘要：

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机反应腔室的气流分布是影响等离子体分布与刻蚀工艺均匀性的重要原因之一.使用商业软件CFD-ACE+中的连续流体与热传递模型,对反应腔室中气流分布进行了仿真研究,讨论了不同质量流量(50～250 cm3/min)入口条件下电极表面附近气压分布情况,同时讨论了不同腔室高度(H=0.08,0.12,0.14m)对气流分布均匀性的影响.研究发现电极表面附近气压分布呈现中心高边缘低的特征,并随入口质量流量的增加而升高;气流分布均匀性随腔室高度增加而有所提高,而同时平均密度却会下降.通过对比发现3D与2D模型仿真结果基本一致.

关键词：感应耦合等离子体、计算流体力学软件、气压分布

所属期刊栏目：32

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-46,83