ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响

摘要：

通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析.利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究.试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大.刻蚀样品在400 ℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600 ℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品.

关键词：感应耦合等离子体、氮化镓、肖特基接触、刻蚀损伤、退火

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家科技重大专项;国家重点实验室基金;国家重点基础研究发展计划（973计划）

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：40-42,81