pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响

摘要：

采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率.分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响.

关键词：铌酸锂、化学机械抛光、pH值

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-39