LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究

摘要：

以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放大器电热记忆效应产生的本质原因.仿真和实验结果直观描述了电热记忆效应对放大器性能的影响,在此基础上提出了减少电热记忆效应的一般方法.

关键词：横向扩散金属氧化物半导体、功率放大器、记忆效应、互调失真

所属期刊栏目：32

分类号：TN7(基本电子电路)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金20030013010

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36