改进型抗单粒子效应D触发器

摘要：

在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器.该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题.

关键词：抗辐射加固、单粒子效应、单粒子翻转、单粒子瞬变、D触发器

所属期刊栏目：32

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,32