CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点

摘要：

在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端.在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构.从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析.着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力.

关键词：互补金属氧化物半导体、电感电容压控振荡器、交叉耦合、低电压、宽频带

所属期刊栏目：32

分类号：TN75(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划（973计划）

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25